فی فوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی فوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود پایان نامه رشته کامپیوتر مقطع کاردانی با عنوان حافظه های کامپیوتری - word

اختصاصی از فی فوو دانلود پایان نامه رشته کامپیوتر مقطع کاردانی با عنوان حافظه های کامپیوتری - word دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه رشته کامپیوتر مقطع کاردانی با عنوان حافظه های کامپیوتری - word


دانلود پایان نامه  رشته کامپیوتر مقطع کاردانی با عنوان حافظه های کامپیوتری - word

 

انواع حافظه کامپیوتر

 حافظه با هدف ذخیره سازی اطلاعات ( دائم ، موقت ) در کامپیوتر استفاده می گردد و دارای انواع متفاوتی است :

 

RAM

ROM

Cache

Dynamic RAM

Static RAM

Flash Memory

Virtual Memory

Video Memory

BIOS

 

استفاده از حافظه صرفا" محدود به کامپیوترهای شخصی نبوده و در دستگاههای متفاوتی نظیر : تلفن های سلولی، PDA ، رادیوهای اتومبیل ، VCR ، تلویزیون و ... نیز در ابعاد وسیعی استفاده می گردد .هر یک از دستگاه های فوق مدل های خاصی از حافظه را استفاده می نمایند.

 

مبانی اولیه حافظه

با اینکه می توان واژه " حافظه " را بر هر نوع وسیله ذخیره سازی الکترونیکی اطلاق کرد، ولی اغلب از واژه فوق برای مشخص نمودن حافظه های سریع با قابلیت ذخیره سازی موقت استفاده می شود. در صورتیکه پردازنده مجبور باشد برای بازیابی اطلاعات مورد نیاز خود بصورت دائم از هارد دیسک استفاده نمائد، قطعا" سرعت عملیات پردازنده ( با آن سرعت بالا) کند خواهد گردید. زمانیکه اطلاعات مورد نیاز پردازنده در حافظه ذخیره گردند، سرعت عملیات پردازنده از بعد دستیابی به داده های مورد نیاز بیشتر خواهد گردید. از حافظه های متعددی به منظور نگهداری موقت اطلاعات استفاده می گردد.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه رشته کامپیوتر مقطع کاردانی با عنوان حافظه های کامپیوتری - word

پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR

اختصاصی از فی فوو پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR


پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR

 

این فایل درقالب ورد وقابل ویرایش در 80 صفحه می باشد .

دانلود پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR


حافظه های
ATMagUlb, AVR

 

این بخش تفاوت میان حافظه های دو، ATmegulb را توصیف
 می کند در ساختار AVR  دو فضای حافظه ای، فضای حافظه ای برنامه تولیست وفضای حافظه ای اولیه وجود دارد در مجموع ATMega16  یکEEPROM برای نگهداری اطلاعات حافظه ای دارد همه فضاهای این حافظه به صورت خطی ومنظم
می باشد.

 

 

 

سیستم REprogrammabl  حافظه فلش در برنامه نویسی حافظه

 

ATMega16  شامل 16 کیلو بایت تک تراشه ای در سیستم وقابلیت برنامه ریزی مجدد حافظه فلش برای نگه داری برنامه است در زمانی که طول بایت حافظه های avr16 یا32 بیت بوده حافظه فلش دار برای avr    16*k5 شناخته شده است برای جلوگیری از اسیب نرم افزار حافظه فلش به دو بخش تقسیم می کنیم بخش راه اندازی وبخش برنامه نویس.

 

حافظه فلش قابلیت10000 یا نوشتن وپاک کردن می باشد پروگرم کانتر ATM mega16  دارای طول 13 بیت می باشد که قابلیت آدرس دهی 8 کیلو بایت را دارد کار قسمت راه اندازی برنامه قفل وراه اندازی برایحالت نرم افزار در اجر ا وحمایت از بار گذاری در هنگام راه اندازی (نوشتاری- خواندنی) است که در فصل بعد بعد به آن اشاره شده است.که شامل توصیف اجزای سری اطلاعات فلش که در پینهایspi ودر ارتباط با JTAK می باشد.

 

مقادیر ثابت می توانند در آدرس های حافظه برنامه قرار گیرند MP که در شکل زیر نشان داده شده است.

 

نمودار زمانی برای ساختار وخروجی ها در نمودار خروجی وزمانی موجود شده است.

 

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

حافظه داده  SRAM :

 

شکل زیر نشان می دهد که SRAM  و ATMEGA  چگونه برنامه نویس می شود خانه ها حافظه پایین  نمایش می دهد که فایلها در حافظه SRAM داخلی وحافظهI/o ثبت شده است. اولین برنامه در آدرس 96 آدرس دهی می کند.

 

 

 

پنج روش آدرس دهی برای پوشش دیتای حافظه وجود دارد:

 

  1. جهت، 2. خلاف جهت وتغییر موقعیت ،3. خلاف جهت، 4. خلاف جهت با

 

  PRO-decrement ، 5. خلاف جهت با POST- Increment.

 

در فایلهای رجیستری، رجیسترهای­ R3 ,  R26  به صورت غیر مستقیم آدرس دهی می شود وبه صورت مستقیم در دنیای مخصوص ذخیره می شود.

 

در حال خلاف جهت: تغییر مکان باعث می شود که63 خط آدرس با استفاده از رجیسترهای Z,Y آدرش دهی می شود.

 

زمانیکه از رجیسترهای در آدرس دهی مستقیم در حالت کاهش آدرس دهی یا افزایش آدرس دهی می باشدازآدرس دهی رجیستر Z<Y<X برای کاهش وافزایش استفاده می کنیم.

 

32رجیستر از 64 رجیستر به عنوان I/0 عمل می کنند ویک کیلو بایت دنیای داخلی SRAM درATMEGA16 برای آدرس دهی در همه حالتها قابل استفاده است. رجیستر فایلها در فایلهای همه سطوره در پایین توصیف می شود.     



فهرست مطالب:

فصل اول
حافظه های ATMagUlb, AVR
سیستم REprogrammabl حافظه فلش در برنامه نویسی حافظه
حافظه داده SRAM
زمان پذیرش دیتای حافظه
دیتای حافظه ایEEPROM
عملکرد نوشتن وخواندن در EEPROM
آدرس دهی EEPROM ورجیسترEEARH, EEARL
دریافت بیتهاs…۰ – ۱۵….۹ bits
رجیسترهای کنترل EEPROM
دریافت بیتها bit 7….۴- Res
نوشتن در اینیبیل .مستر EEPROM Bit – EEMWE
Bit7 – EEWE نوشتن در وقفه EEPROM

فصل دوم
پروگرم حافظه
بیتهای حافظه دیتا وبرنامه نویسی
فیوزها
لچ فیوزها
تاثیر بایتها
کالیبره کردن بایتها
فیوز بیتهای ATM EGA16
بایت آدرس پایه های ورودی پورت PINA-A
پیکر بندی پورت ها
بررسی پورت های میکروATMEGA32
پورتA
استفاده از پورتA به عنوان یک IO عمومی دیجیتال
دیگر کاربرد های پورت A
پورتB
رجیستر های پورت B
استفاده از پورتB به عنوان یک IO عمومی دیجیتال
دیگر کاربرد های پورت B
Portb.7-sck
Portb.6-miso
Portb.5- mosi
Portb.4-SS
PORTB.3-OC0,AIN1
Portb.2-int2,ain0
Portb.1-t1
Portb.0-xck,t0
پورتC
رجیستر های پورت c
دیگر کاربرد های پورت C
پورت D
استفاده از پورتD به عنوان یک IO عمومی دیجیتال
پیکره بندی LCD
اتصال پایه های LCD به میکرو
تعیین نوع LCD
پیکره بندی باس LCD
رتباط با پورت سریال
اUART سخت افزاری
تعیین میزان باود
تغییر میزان باود در برنامه
ارسال داده سریال در حالت UART سخت افزاری
پیکره بندی SERIALOUT
دستور PRINT
دستور PRINTBIN
دریافت داده سریال در حالت UART سخت افزاری
پیکره بندی CONFIG SERIALIN
دستور WAITKEY
دستور INKEY
دستور INPUT
دستور INPUTBIN
دستور INPUTHEX
UART نرم افزاری
تعین میزان باود
تغییر میزان باود در برنامه
ارسال داده در حالت UART نرم افزاری
دستور PRINTBIN
دریافت داده در حالت UART نرم افزاری
دستور INKEY
دستور INPUT
دستور INPUTBIN(#CHANNEL)
دستور INPUTHEX(#CHANNEL)
دستورات کار با LCD
دستور CLS
دستور CLS GRAPH
دستور CLS TEXT
دستور LCD
دست PSET X,Y,COLOR
دستور LOCATE ROW,COLUMN
دستور CURSOR ONOFF BLINKNOBLINK
دستور Line(Xl,Yo),(Xl,Yl), COLOR
دستور CIRCLE (XO,YO),RADIUS,COLOR
دستور SHOWPIC X,Y,LABLE
بر چسب $BGF ″FILE.BGF″
ارتباط سریال SPI
خصوصات
طرز اتصال masterslave
طرز کار پایه SS در مُد MIASTER
طرز کار پایه SS در مُد SLAVE
ارتباط SPI و رجیسترهای مربوطه
رجیستر کنترلی [SPI CONTROL REGISTER]SPCR-SPI
بیت SPIE-7
بیت SPE-6
بیتDORD-5
بیتMISTR-4
بیتCPOL-3
بیت CPHA-2
مُدهای اطلاعاتی (DATA MODE)
بیتSPRI-0,1 و SPRO
رجیستر وضعیت [SPI STATUS REGISTER] SPSI-SPI
بیت SPIF-7
بیت WCOL-6
بیت ۱…۵
بیت SPI2X-0
رجیستر داده [SPI DATA REGISTER] SPDR-SPI
پیکره بندی SPI در محیط BASCOM

 


دانلود با لینک مستقیم


پروژه تستر حافظه FLASH و EEPROM و SRAM با استفاده از میکرو کنترلر AVR

دانلود مقاله انواع حافظه ها

اختصاصی از فی فوو دانلود مقاله انواع حافظه ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله انواع حافظه ها


دانلود مقاله انواع حافظه ها

سخت افزار

حافظه ROM

. این نوع از حافظه ها علاوه بر استفاده در کامپیوترهای شخصی در سایر دستگاههای الکترونیکی نیز بخدمت گرفته می شوند . :

  • ROM
  • PROM
  • EPROM
  • EEPROM
  • Flash Memory

هر یک از مدل های فوق دارای ویژگی های منحصربفرد خود می باشند . حافظه های فوق در موارد زیردارای ویژگی مشابه می باشند:

  • داد های ذخیره شده در این نوع تراشته ها " غیر فرار " بوده و پس از خاموش شدن منبع تامین انرژی اطلاعات خود را از دست نمی دهدند.
  • داده های ذخیره شده در این نوع از حافظه ها غیر قابل تغییر بوده و یا اعمال تغییرات در آنها مستلزم انجام عملیات خاصی است.

 

مبانی حافظه های ROM

حافظه ROM از تراشه هائی شامل شبکه ای از سطر و ستون تشکیل شده است ( نظیر حافظه RAM) . هر سطر وستون در یک نقظه یکدیگر را قطع می نمایند. تراشه های ROM دارای تفاوت اساسی با تراشه های RAM می باشند. حافظه RAM از " ترانزیستور " بمنظور فعال و یا غیرفعال نمودن دستیابی به یک " خازن " در نقاط برخورد سطر و ستون ، استفاده می نمایند.در صورتیکه تراشه های ROM از یک " دیود" (Diode) استفاده می نماید. در صورتیکه خطوط مربوطه "یک" باشند برای اتصال از دیود استفاده شده و اگر مقدار "صفر" باشد خطوط به یکدیگر متصل نخواهند شد. دیود، صرفا" امکان حرکت " جریان " را در یک جهت ایجاد کرده و دارای یک نفطه آستانه خاص است . این نقطه اصطلاحا" (Forward breakover) نامیده می شود. نقطه فوق میزان جریان مورد نیاز برای عبور توسط دیود را مشخص می کند. در تراشه ای مبتنی بر سیلیکون نظیر پردازنده ها و حافظه ، ولتاژ Forward breakover تقریبا" معادل شش دهم ولت است .با بهره گیری از ویژگی منحصر بفرد دیود، یک تراشه ROM قادر به ارسال یک شارژ بالاتر از Forward breakover و پایین تر از ستون متناسب با سطر انتخابی ground شده در یک سلول خاص است .در صورتیکه دیود در سلول مورد نظر ارائه گردد، شارژ هدایت شده (از طریق Ground ) و با توجه به سیستم باینری ( صفر و یک )، سلول یک خوانده می شود ( مقدار آن 1 خواهد بود) در صورتیکه مقدار سلول صفر باشد در محل برخورد سطر و ستون دیودی وجود نداشته و شارژ در ستون ، به سطر مورد نظر منتقل نخواهد شد.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله انواع حافظه ها

دانلود تحقیق ساختار حافظه های فلش و آموزش نحوه ذخیره و بازیابی فایل های فلش

اختصاصی از فی فوو دانلود تحقیق ساختار حافظه های فلش و آموزش نحوه ذخیره و بازیابی فایل های فلش دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق ساختار حافظه های فلش و آموزش نحوه ذخیره و بازیابی فایل های فلش


دانلود تحقیق ساختار حافظه های فلش و آموزش نحوه ذخیره و بازیابی فایل های فلش

حافظه ی فلش چیست ؟
سیستم های کامپیوتری ، از تجهیزات ساده تا شبکه های پیچیده ، شامل اجزای گوناگون و متنوعی می باشند : پردازنده ها ، نمایشگرها ، نرم افزارها ، درایورها ، صفحه کلیدها ، موشواره ها ، مدارات فیبر چاپی ، سوئیچ ها ، مودم ها ، و البته حافـظه ها تنها چند مورد از آن هاهستند .
اما به راستی حافظه و به ویژه حافظه ی فلش چیست ؟
 به طور کلی حافظه عبارتسـت از قابلیت نگهداری اطلاعات دیجیتال تحت شرایط معین .
 اطلاعات نگهداری شده ممکن است کدهای عملیاتی یا فایل های داده و یا ترکیبی از هر دو باشـد . یک حافظه ی ایده آل حافظه
ایست که ضمن دارا بـودن حجم مناسب از لحاظ فیزیکی ، اطلاعات حساس ما را در شرایط پایداری حفظ نـموده و به راحتی قابل برنامه ریزی و برنامه ریزی مجدد باشد ، همچنین سرعت دسترسی به اطلاعات ( خواندن اطلاعات ) در آن بالا بوده و از لحاظ قیمت نیز مقرون به صرفه باشد .
 برخی فناوری های حافظه پاره ای از این نیاز ها را به خوبی براورده می کننـد ، اما محدودیت های موجود باعث شـده تا
نتوان محصول مشخصی را به عنوان یک راه حل کلی برای مشکل حافظه ، به خصوص در کاربردهای جدیدتر ، ارائه کرد .
حافظه ی فلش یک نوع حافظه ی ماندگار است که به کاربر اجازه می دهد اطلاعات خود را به طور الکتریکی ذخیره یا پاک کند ، این نوع حافظه دارای ویژگی های منحصر به فردی است که باعث شده استفاده از آن طی سال های اخیر رشد چشمگیری داشته باشد ، به طوری که پیش بینی می شود تا سال 2007 ، حافظه های فلش بخش عمده ای از  بازار حافظه های کامپیوتری جهان را به خود اختصاص دهد .
حافظه ی فـلش در واقع نوع تکامل یافته ای از حافظه ی EEPROM بوده و یک حافظه آرایه مانند محسوب می شـود . آدرس دهی در این گونه ازحافظه به جای بایت در سطح بلاکی انجام می شود ، از این رو عمل نوشتـن اطلاعات در آن بسیار سریع تر از حافظه ی EEPROM انجام می گیرد . حافظه ی فلش از ترانزیستور های با گیت های شناور به منظور ذخیره سازی اطلاعات استفاده می کنـد که اگر به طور دقیق کنترل شود ، می توان در هر ترانزیستور 2 بیت داده را ذخیره نمود .
حافظه های فلش استاندارد از هر ترانزیستور تنها برای نگهداری یک بیت بهره می برند، اما چگالی داده در آن ها نسبت به حافظه های حساس تر که در هر ترانزیستور 2 بیت را ذخیره می کنند ، نصف می باشد .

انواع حافظه ی فلش :
حافظه ی های فلش به نوبه ی خود به انواع مختلفی تقسیم می شونـد ، ایـن دسته بندی بر اساس فناوری بکار رفته در ساخـت آن ها و درواقع وابسته به نوع گیت های سخت افزاری است که در هر دسته برای ذخیره سازی اطلاعات از آن استفاده می شـود .
 ضمن اینکه نحوه ی خواندن و نوشتن اطلاعات در هر گونه متفاوت است .
از مهمترین این فناوری ها می توان به فناوری های NOR , DINOR , T-Ploy , AND و NAND اشاره نمود که هر یک از آن ها به وسیله ی یک یا چند کمپانی عمده توسعه یافته اند . نمودار شماره 2 و جدول شماره 2 اطلاعات بیشتری را در این باره ارائه می دهند :

 

 

شامل 21 صفحه word و 9 صفحه pdf


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق ساختار حافظه های فلش و آموزش نحوه ذخیره و بازیابی فایل های فلش

آلیاژهای حافظه دار

اختصاصی از فی فوو آلیاژهای حافظه دار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آلیاژهای حافظه دار


آلیاژهای حافظه دار

آلیاژهای حافظه دار

بیومتریال‏ها      

بیومتریال یک ماده مصنوعی است که برای جایگزین سازی یا تعویض بخش از بدن انسان یا موجود زنده یا به منظور کارکردن در تماس نزدیک با بافت زنده استفاده می شود. بیومتریال باید در بدن خنثی باشد.    

بیومتریال ها برای التیام اعضاء و اصلاح کاربری و عمل آنها و همچنین اصلاح ناهنجاری‏ها یا وضعیت غیر طبیعی به کار می رود.    

یک نوع تقسیم بندی مواد بر حسب جنس آنها می باشد که به گروههای فلزی، پلیمری، سرامیکی و مواد مرکب (Composites) دسته بندی می شود.      

مواد فلزی از نظر اهمیتی که در صنعت دارد به دو گروه فلزات آهنی و آلیاژهای آن و فلزات غیر آهنی و آلیاژهای آن تقسیم می شود. مواد فلزی عمدتاً هادی (رسانای) خوبی برای حرارت و الکتریسته هستند اغلب فلزات در درجه حرارت های معمولی محیط شکل پذیر بوده و درمقابل واکنش‏های شیمیایی پایداری بسیار بالایی ندارد. فلزات در شرایط معمولی دارای ساختار کریستالی اند.    

فلزات به صورت خالص به ندرت به کار می روند واغلب از آلیاژهای آنها در صنعت استفاده می شود.

بیومتریالهای فلزی در کاربردهای ارتوپدی

Metallic Biomaterials In Orthopaedic Application

 

اولین فلز به کاررفته دربدن انسان فولاد و انادیم دارشرمن بود که برای ساخت صفحه‏ها و پیچ‏های شکسته بندی استخوان به کار رفت. و سپس فولاد ضد زنگ L316 و آلیاژهای کبالت- کروم به کاررفتند زیرا مقاومت خوب خوردگی و عمر خستگی مناسب و همچنین سختی، سفتی و استحکام مورد قبول داشت. فلزات نباید دارای خاصیت سمی بودن و متاسیون زائی یا سرطان زایی در داخل بدن باشند

آلیاژهای حافظه دار

Shape Memory Alloys

حافظه داری یعنی نگاه داشتن یکسری اطلاعات و بازگو کردن این اطلاعات در مواقع ضروری، که این اطلاعات همیشه محفوظ است و از بین نخواهد رفت.

منظور از حافظه داری فلز این است که فلز یک حالتی را حفظ می کند و این حالت را همیشه درخود نگهداری کرده و به همراه دارد و اگر در اثر نیرویی تغییر شکل یابد با دیدن حرارت، دوباره به حالت اولیه باز می گردد، که حرارت رکن اساسی است.

اثر حافظه داری در سال 1938 توسط آلدن گرنینجر و گ. موردیان در دانشگاه های هاروارد و MIT مشاهده شده و آنها ثابت کردند که با تغییر درجه حرارت، فاز مارتنزیتی در نمونه برنجی، شکل گرفته و یا ناپدید می شود.

فلزات آهن –پلاتین، آهن – نیکل، نیکل- آلومینیوم و فولاد ضد زنگ و نیکل – تیتانیم دارای این اثر هستند

دانش هوانبردی، مکانیک، الکترونیک، مهندسی پزشکی و مهندسی بیولوژیکی از جمله علوم در ارتباط با این آلیاژها می باشند

آلیاژهای حافظه دار به صورت یک طرفه Oneway و دو طرفه (Two Way) ساخته می شوند. در ارتوپدی از فلزات یک طرفه استفاده می شود زیرا برگشت پذیری احتیاج نیست. به عنوان مثال اگر آلیاژی با طول L0 موجود باشد و با کاهش درجه حرارت، طول آن به L رسانده شود

با افزایش درجه حرارت آلیاژ به شکل و اندازه اولیه خود (L0) می گردد. حال اگر با کاهش مجدد درجه حرارت، طول آن تغییر نکند، آن آلیاژ یک طرفه و اگر به مقدار L برگردد، آلیاژی دو طرفه خواهد بود.

 

 

 

تعداد صفحات: 24


دانلود با لینک مستقیم


آلیاژهای حافظه دار