مطلب در مورد اثربخشی آموزشی2

اختصاصی از فی فوو مطلب در مورد اثربخشی آموزشی2 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مطلب در مورد اثربخشی آموزشی

فرمت فایل: ورد

تعداد صفحات: 11

چکیده

ضرورت آموزش به صورت یک امر طبیعی درآمده است. پیشرفت و توسعه سازمانها و موسسات درگرو ارتقای سطح دانش، مهارت، رفتار و بینش منابع انسانی است. برهمین اساس، اکثر سازمانها دوره های آموزش موجود در داخل یا خارج از کشور برای کارکنان خود برگزار می‌کنند و اجرای هر دوره متضمن سرمایه گذاری هنگفت است لذا آگاهی از میزان اثربخشی دوره های آموزشی و بازدهی حاصل از آنها برای مدیران بسیار بااهمیت است.ارزشیابی یکی از مهمترین مراحل برنامه ریزی آموزشی است که انجام صحیح آن اطلاعات بسیار مفیدی را درباره چگونگی طرح ریزی و اجرای برنامه های آموزشی دراختیار می گذارد و مبنای مفیدی جهت ارزیابی عملکرد آموزشی مراکز آموزشی به دست می دهد.اگر اهداف را به صورت وضع مطلوب سازمان در آینده تعریف کنیم، اثربخشی سازمان عبارت است از درجه یا میزانی که سازمانها به هدفهای موردنظر خود نائل می آیند (ریچارد دفت، 1377)پیتر دراکر صاحبنظر به نام مدیریت، اثربخشی را انجام کار درست تعریف کرده است. تعاریف دیگری همچون اصلاح رویه های مدیریت، کسب موفقیت، تولید ایده های جدید، تقویت ارزشهای سازمانی، تفکرگروهی، مشارکت و مواردی از این قبیل از جمله تعابیری هستند که در مدیریت معادل با اثربخشی به کار می روند (سلطانی، 1380).تعابیری که باتوجه به مفاهیم بالا می توان برای اثربخشی آموزشی ابراز داشت عبارتند از:

!تعیین میزان تحقق اهداف آموزشی؛

! تعیین نتایج قابل مشاهده از کارآموزان در آموزشهای اجراشده؛

! تعیین میزان انطباق رفتار کارآموزان با انتظارات نقش سازمانی آنها؛

! تعیین میزان درست انجام دادن کار که موردنظر آموزش بوده است؛

! تعیین میزان توانایی ایجادشده در اثر آموزشها برای دستیابی به اهداف؛

! تعیین میزان ارزش افزوده آموزشی؛

! تعیین میزان بهبود شاخصهای موفقیت کسب و کار.

دانلود مقاله کامل درباره ابر رسانایی

اختصاصی از فی فوو دانلود مقاله کامل درباره ابر رسانایی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :11

بخشی از متن مقاله

ابر رسانایی

به ترکیب جالب خواص الکتریکی و مغناطیسی فلزات مشخصی که در درجات حرارت خیلی پایین در آنها به وجود می‌آید اطلاق می شود. یک چنین دمایی اولین بار در سال 1908 وقتی کمرلینگ اونز در دانشگاه لیدن موفق به تولید هلیوم مایع گردید حاصل شد که با استفاده از آن توانست به درجه حرارت حدود یک درجه کلوین برسد.
یکی از اولین بررسی هایی که ا.نز با این درجه حرارت پایین قابل دسترسی انجام داد مطالعه تغییرات مقاومت الکتریکی فلزات بر حسب درجه حرارت بود. چندین سال قبل از آن معلوم شده بود که مقاومت فلزات وقتی دمای آنها به پایین تر از دمای اتاق برسد کاهش پیدا می کند. اما معلوم نبود که اگر درجه حرارت تا حدود کلوین تنزل یابد مقاومت تا چه حد کاهش پیدا می کند. آقای اونز که با پلاتینیم کار می کرد متوجه شد که مقاومت نمونه سرد تا یک مقدار کم کاهش پیدا می کرد که این کاهش به خلوص نمونه بستگی داشت. در آن زمان خالص ترین فلز قابل دسترس جیوه بود و در تلاش برای بدست آوردن رفتار فلز خیلی خالص اونز مقاومت جیوه خالص را اندازه گرفت.او متوجه شد که در درجه حرارت خیلی پایین مقاومت جیوه تا حد غیر قابل اندازه گیری کاهش پیدا می کند که البته این موضوع زیاد شگفت انگیز نبود اما نحوه از بین رفتن مقاومت غیر منتظره می نمود.موقعی که درجه حرارت به سمت صفر تنزل داده می شود به جای اینکه مقاومت به ارامی کاهش یابد در درجه حرارت 4 کلوین ناگهان افت می کرد و پایین تر ازاین درجه حرارت جیوه هیچگونه مقاومتی از خود نشان نمی داد. همچنین این گذار ناگهانی به حالت بی مقاومتی فقط مربوط به خواص فلزات نمی شد و حتی اگر جیوه ناخالص بود اتفاق می افتاد.آقای اونز قبول کرد که پایین تر از 4 کلوین جیوه به یک حالت دیگری از خواص الکتریکی که کاملا با حالت شناخته شده قبلی متفاوت بود رفته است و این حالت تازه (( حالت ابر رسانایی )) نام گرفت.بعدا کشف شد که ابررسانایی را می توان از بین برد ( یعنی مقاومت الکتریکی را می توان مجددا بازگردانید.) و در نتیجه معلوم شد که اگر یک میدان مغناطیسی قوی به فلز اعمال شود این فلز در حالت ابررسانایی دارای خواص مغناطیسی بسیار متفاوتی با حالت درجه حرارتهای معمولی می باشد.
تاکنون مشخص شده است که نصف عناصر فلزی و همچنین چندین آلیاژ در درجه حرارت های پایین ابر رسانا می شوند. فلزاتی که ابررسانایی را در درجه حرارت های پایین از خود نشان می دهند ( ابر رسانا ) نامیده می شوند. سالهای بسیاری تصور می شد که تمام ابررسانا ها بر طبق یک اصول فیزیکی مشابه رفتار می کنند. اما اکنون ثابت شده است که دو نوع ابررسانا وجود دارد که به نوع I و II مشهور می باشد. اغلب عناصری که ابررسانا هستند ابررسانایی از نوع I را از خود نشان می دهند.در صورتی که آلیاژها عموما ابررسانایی از نوع II را از خود نشان می دهند. این دو نوع چندین خاصیت مشابه دارند. اما رفتار مغناطیسی بسیار متفاوتی از خود بروز می دهند.

ابر رسانا ها

اگردمای فلزات مختلف را تا دمای معینی(دمای بحرانی) پایین اوریم پدیده شگرفی در انها اتفاق می افتد که طی ان به ناگهان مقاومتشان را در برابرعبور جریان برق تا حد صفراز دست خواهند داد .وتبدیل به ابررسانا خواهند شد.

(البته موادی مانند نقره نیز هستند که مقاومت ویژه شان حتی در دمای صفر درجه کلوین نیز صفر نمی شود).هرچند در این دما میتوان بسیاری از مواد را ابر رسانا نمود محققا ن برای رسیدن به چنین دمایی مجبورند از هلیم مایع ویا هیدرژن استفاده کنند که بسیار گرانند

امروزه ابر رسانایی را در موادی ایجاد می کنند که دمای بحرانیشان زیادتر از 77 درجه کلوین است که برای رسیدن به چنین دمایی از ازت مایع استفاده می کنند که نقطه جوشش 77 درجه کلوین است.

تاریخجه ابررسانا یی

ابررسانایی برای اولین باردر سال 1911 توسط هایک کامرلینگ اونس(1926-1853)مطرح گردید. وی دمای یک میله منجمد جیوه ای را تا دمای نقطه جوش هلیم مایع(4.2 درجه کلوین )پایین اوردد و مشاهده نمود که مقاومت ان ناگهان به صفر رسید. سپس یک حلقه سربی را در دمای 7 درجه کلوین ابررسانا نمود و قوانین فارادی را بر روی ان ازمایش کردومشاهده نمود وقتی با تغییر شار در حلفه جریان القایی تولید شود.

حلقه سربی برعکس رسانا های دیگر رفتارمی نمایدیعنی پس از قطع میدان تا مادامیکه در حالت ابر رسانایی قرار داردجریان اکتریکی را حفظ می کند. به عبارتی اگریک سیم ابررسانا داشته باشیم پس از بوجود امدن جریان الکتریکی دران بدون مولد الکتریکی ( مثل باطری یا برق شهر )نیز می تواند حامل جریان باشد.

اگر در همین حالت میدان مغناطیس قوی در مجاورت سیم ابررسانا قرار دهیم ویا دمای سیم را با لاتر از دمای بحرانی ببریم جریان در ان بسرعت صفر خواهد شد چون دراین حالتها سیم را از حالت ابررسانایی خارج کرده ایم .

اقای اونس با همین کشف جایزه نوبل فیزیک در سال 1913 را از ان خود نمود.در عکس بالا اونس و همسرش نشسته و دوستان دانشمند مانند البرت انیشتین در پشت سر وی قرار دارند.

اثرمایسنر

سپس در سال 1933 Meissner وOschsenfeld مطابق شکل نشان دادند که وقتی ماده مورد ازمایش قبل از ابررسانا شدن در میدان مغناطیسی باشد شار از ان عبور میکند ولی وقتی در جضور میدان به دمای بحرانی برسدو ابررسانا گردد دیگر هیچگونه شار مغناطیسی از ان عبور نمی کند تبدیل به یک دیامغناطیس کامل می شود که شدت میدان درون ان صفر خواهد بود.

فیزیکدانان مختلف همواره سعی کرده بودند به موادی دست پیدا کنند که اولا دردمای پایین ابرسانا شوند و ثانیا برای فرایند سرمایش بجای هلیم پر هزینه از نیتروژن مایع استفاده شود.تا بدن ترتیب بتوانند کابلهای مناسب برای حمل و انتقال برق ویا موتور الکتریکی بسازند.

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

دانلود تعدادی عکس مربوط به پروژه های برق

اختصاصی از فی فوو دانلود تعدادی عکس مربوط به پروژه های برق دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

تعداد عکس :50

دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2 10 (M2-A01L) با بیلد نامبر B007

اختصاصی از فی فوو دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2 10 (M2-A01L) با بیلد نامبر B007 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2 10 (M2-A01L) با بیلد نامبر B007
دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2 10 M2-A01L با بیلد نامبر B007
دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2 10 M2-A01L
دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2 10
دانلود رام رسمی اندروید 5.1 تبلت هواوی MediaPad M2

این رام دارای کیبورد فارسی می باشد

آموزش فلش زدن گوشی و تبلت های هواوی

1 از داخل رام دانلود شده با پسوند ZIP یا RAR ، فایل اصلی UPDATE.APP را پیدا کنید. ( معمولا داخل فولدر Software و سپس dload قرار دارد. )

2 UPDATE.APP را از طریق کامپیوتر (توصیه شده) یا گوشی با فایل منیجر X-Plore اکسترکت و به مسیر زیر در رم (SD Card) یا حافظه داخلی منتقل کنید.
SD Card/dload/UPDATE.APP
    اگر فولدر dload وجود نداشت خودتان آن را ایجاد کنید (به کوچکی و بزرگی حروف توجه کنید)
    داشتن فضای کافی در گوشی بسیار مهم هست (باید فضای خالی بیش از حجم فایل UPDATE.APP داخل فایل فشرده باشد)
    با نرم افزار X-Plore قبل از اکسترکت می توانید فایل فشرده را باز کرده و حجم UPDATE.APP را متوجه شوید.
    استفاده از فایل منیجر خود گوشی یا فایل منیجر های دیگر مثل Es File Explorer در اکسترکت فایل به دلیل حجم بالا ناموفق خواهد بود.

3 به سه طریق آپدیت انجام می شود.
1- کد دیالر : کد *#*#2846579#*#*  را گرفته و Sofware Update را انتخاب کنید. مسیر در اندروید 4  ProjectMenu > Upgrade > Sd Card Upgrade است.
    در این روش اطلاعات حافظه داخلی شما حذف خواهد شد. (اطلاعات روی MicroSD مانند عکس و فیلم ها حذف نمی شود)
    این روش توصیه شده ایران موبایل می باشد.
2- لوکال آپدیت : به مسیر Settings >Updater > Menu >Local update رفته سپس Full package :UPDATE.APP را انتخاب و Install بزنید.
    در اندروید 6 این روش حذف شده است.
    در این روش اطلاعات موجود روی حافظه داخلی شما حذف نخواهد شد. (اما اگر به منظور دانگرید از آن استفاده شود اطلاعات حذف می شود)
3- سه دکمه ای : گوشی را خاموش کنید. سه کلید Power + Volume UP + Volume Down با هم گرفته و بعد از روشن شدن گوشی رها کنید تا وارد صفحه آپدیت شود.
    این روش برای وقتی گوشی شما بالا نمی آید (Break) مناسب است.
    در این روش اطلاعات حافظه داخلی شما حذف خواهد شد. (اطلاعات روی MicroSD مانند عکس و فیلم ها حذف نمی شود)

4 بعد از نصب محتوای فولدر dload را با فایل منیجر خود گوشی حذف کنید.

دانلود کاستوم ریکاوری TWRP اچ تی سی HTC Butterfly X920d

اختصاصی از فی فوو دانلود کاستوم ریکاوری TWRP اچ تی سی HTC Butterfly X920d دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود کاستوم ریکاوری TWRP اچ تی سی  HTC Butterfly X920d

دانلود آموزش نصب کاستوم ریکاوری TWRP اچ تی سی  HTC Butterfly X920d

نحوه فلش کردن TWRP Recovery برروی اچ تی سی :

بعد از اتمام دانلود حال شما باید TWRP Recovery را بر روی اچ تی سی اندرویدی خود فلش کنید تا بتوانید از امکانات آن استفاده کنید.

توجه :

فقط TWRP Recovery مخصوص مدل گوشی خودتان فلش کنید. در غیر اینصورت ممکن است گوشییتان سافت بریک شود.

پیشنیازات :

1 . آنلاک بودن بوت لودر
2 . فعالسازی یو اس بی دیباگینگ
3 . نصب درایور دیوایس مربوطه روی کامپیوتر + ADB
4 . بک آپ از اطلاعات (بعد از فلش کردن TWRP اطلاعات دستگاه شما پاک نمی شود. این عمل اختیاری است.)

حال شروع می کنیم :

1 . پوشه ای بسازید و فایل کاستوم ریکاوری موردنظر با پسوند img. را که در قسمت اول دانلود کردید را به درون آن پوشه انتقال دهید.(اگر فایل زیپ بود اکسترکت کنید و فایل img را استخراج کنید)

2 . حال اچ تی سی خود را به حالت فست بوت ببرید.

آموزش رفتن به حالت فست بوت در HTC

1 . به این مسیر در اچ تی سی خود بروید Settings>> Power بروید.

2 . تیک گزینه Fastboot را بردارید (غیرفعالش کنید).

3 . اچ تی سی تان را به صورت کامل خاموش کنید.

4 . وقتی دستگاه تان به صورت کامل خاموش شد، کلید کم کردن صدا را نگه دارید و سپس دکمه پاور را بگیرید تا صفحه ی بوت لودر با پس زمینه سفید باز شود.

5 . حال با استفاده از دکمه های کم و زیاد کردن صدا به روی گزینه FASTBOOT بروید و با زدن دکمه پاور وارد آن شوید.

 3 . گوشی را در همان حالت فست بوت با کابل یو اس بی به کامپیوترتان متصل کنید. در اچ تی سی تان باید متن “FASTBOOT USB” ظاهر شود.

4 . دکمه “Shift” را نگه دارید و روی پوشه ای که ساختید و فایل ریکاوری را به درون آن انتقال دادید راست کلیک کنید و گزینه “Open command window here” را بزنید.

سپس دستور زیر را وارد کنید :

fastboot flash recovery ***.img

توجه : به جای *** نام فایل ریکاوری -که دانلود کردید- را با پسوند img. وارد کنید. (اگر نام فایل ایمیج طولانی است، می توانید نام آنرا تغییر دهید و به جای *** قرار دهید.)

7 . حال دکمه اینتر را بزنید و منتظر بمانید تا پیغام Finished را دریافت کنید. این پیغام به معنی موفقیت آمیز بودن عملیات فلش TWRP می باشد.)

نحوه ورود به ریکاوری مود در گوشی های اچ تی سی :

1 . به این مسیر در اچ تی سی خود بروید Settings>> Power بروید.

2 . تیک گزینه “Fastboot” را بردارید (غیرفعالش کنید).

3 . اچ تی سی تان را به صورت کامل خاموش کنید.

4 . بعد از آنکه دستگاه تان به صورت کامل خاموش شد، کلید کم کردن صدا را نگه دارید و سپس دکمه پاور را بگیرید تا صفحه ی بوت لودر با پس زمینه ی سفید باز شود.

5 . حال با استفاده از دکمه های کم و زیاد کردن صدا به روی گزینه “RECOVERY” بروید و با زدن دکمه پاور وارد آن شوید. دستگاه شما ریستارت میشود و به حالت ریکاوری مود می رود.

توجه : اگر دستگاه اچ تی سی شما در هر جایی از ریکاوری گیر کرد، می توانید با گرفتن دکمه زیاد کردن صدا و دکمه پاور به صورت همزمان به مدت 15 ثانیه، اچ تی سی خودتان را خاموش کنید. این مشکل در بسیاری از اچ تی سی ها اتفاق می افتد.