Genetics For Dummies

اختصاصی از فی فوو Genetics For Dummies دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

Genetics For Dummies
Published by
Wiley Publishing, Inc.
111 River St.
Hoboken, NJ 07030-5774
www.wiley.com
Copyright © 2005 by Wiley Publishing, Inc., Indianapolis, Indiana
Published simultaneously in Canada

ترجمه مقاله Thermal Analysis for 3D Optical Network-on-Chip Based on a Novel Low-Cost 6x6 Optical Router

اختصاصی از فی فوو ترجمه مقاله Thermal Analysis for 3D Optical Network-on-Chip Based on a Novel Low-Cost 6x6 Optical Router دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترجمه مقاله Thermal Analysis for 3D Optical Network-on-Chip Based on a Novel Low-Cost 6x6 Optical Router

شامل 2 صفحه انگلیسی میباشد که به صورت روان ترجمه شده که میتونید برای نمونه مقدمه مقاله را مشاهده کنید.

مقدمه انگلیسی:

As an emerging communication architecture for newgeneration
multiprocessor systems, optical networks-on-chip
(ONoCs) can potentially offer ultra-high communication bandwidth
and high energy efficiency. Recent developments in
nanoscale silicon photonic devices substantially improve the
feasibility of ONoCs [1]. However, as an intrinsic characteristic
of photonic devices, thermal sensitivity is a potential
issue in ONoC designs. As a result of thermo-optic effect, the
temperature-dependent wavelength shifts in VCSEL (vertical
cavity surface emitting laser) and silicon-based microresonator
are found to be about 50-100

مقدمه فارسی:

به عنوان یک معماری ارتباطات در حال ظهور برای سیستم های چند پردازنده نسل جدید، شبکه های بر روی تراشه نوری (ONoCs) به طور بالقوه می تواند ارائه دهد فوق العاده بالا پهنای باند ارتباطی و بهره وری انرژی بالا. تحولات اخیر در سیلیکون در مقیاس نانو دستگاه فوتونیک قابل ملاحظه ای بهبود امکان ONoCs [1]. با این حال، به عنوان یک مشخصه ذاتی دستگاه های فوتونیک، حساسیت حرارتی یک مسئله بالقوه در طرح ONoC است. به عنوان یک نتیجه از اثر حرارتی نوری، وابسته به درجه حرارت تغییر طول موج در VCSEL (سطح حفره عمودی ساطع لیزر) و microresonator مبتنی بر سیلیکون یافت تا در مورد 50100_pm شود / C_ [2]، [3]. به عنوان یک دستگاه به طور گسترده ای مورد استفاده در ONoCs، microresonator به عنوان یک سوئیچ نوری با طول موج انتخابی و یا زیر و بم اجرا می کند. تغییرات طول موج مربوط به حرارتی در از دست دادن قدرت نوری اضافی. علاوه بر این، بازده قدرت VCSEL تنزل در دمای بالا [4]. بر اساس سطح سیستم مدل حرارتی ONoC تحلیلی ارائه شده در [5]، این کار کمی اثر حرارتی در 3D ONoC مبتنی بر مش بر اساس یک رمان کم هزینه 

 همراه این فایل ترجمه، نسخه کامل متن انگلیسی به صورت پی دی اف در اختیارتون قرار میگیرد

ترجمه مقاله 3D Optical Networks-on-chip (NoC) for Multiprocessor Systems-on-chip MPSoC

اختصاصی از فی فوو ترجمه مقاله 3D Optical Networks-on-chip (NoC) for Multiprocessor Systems-on-chip MPSoC دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترجمه مقاله 3D Optical Networks-on-chip (NoC) for Multiprocessor Systems-on-chip MPSoC

شامل 6  صفحه انگلیسی میباشد که به صورت روان ترجمه شده که میتونید برای نمونه چکیده مقاله را مشاهده کنید.

چکیده انگلیسی:

Networks-on-chip (NoC) is emerging as a key onchip
communication architecture for multiprocessor systemson-
chip (MPSoC). In traditional electronic NoCs, high bandwidth
can be obtained by increasing the number of parallel
metallic wires at the cost of more energy consumption. Optical
NoCs are thus proposed to achieve low-power ultra-highbandwidth
data transmission in optical domain. Electronic
control technology could be a complement to the optical
networks. Besides NoCs, three-dimensional integrated circuits
(3D ICs) are another attractive solution for system performance
improvement by reducing the interconnect length. The
investigation of using 3D IC as a platform for the realization
of mixed-technology electronic-controlled optical NoC has not
been addressed until recently. In this paper, we propose a 3D
electronic-controlled optical NoC implemented in a TSV-based
(through-silicon via) two-layer 3D chip. The upper device layer
is an optical layer. It integrates an optical data transmission
network, which is responsible for optical payload packets
transmission. The bottom device layer is an electronic layer. It
contains an electronic control network, which is used to route
control packets and configure the optical network. We built an
8x8 mesh-based 3D optical NoC, with a 45nm electronic control
network. Power comparison with a matched 2D electronic NoC
shows that the optical NoC can reduce power consumption
significantly. For 2048B packets, it has a 70% power reduction.
End-to-end delay (ETE delay) and network throughput of the
two NoCs under varying injection rates were evaluated for
comparison. The results show that ETE delay of the optical
NoC is much smaller than the electronic NoC when the network
becomes congested. Take 4096B packets for example, it is 18:7ms
in the optical NoC with an injection rate of 0:5, while 33:5ms in
the electronic one. A maximum throughput of 478Gbps can be
offered by the optical NoC using 32Gbps optical link bandwidth.
Because of the low resource utilization of circuit switching, the
maximum throughput of the optical NoC is slightly lower than
the electronic one.1

چکید ترجمه شده فارسی:

NOC به عنوان یک کلید در معماری ارتباطات روی تراشه برای سیستم ها MPSOC (چند پردازنده ی سیستم بر روی تراشه ) می باشد.

در NOC های الکترونیکی پهنای باند بالا را با افزایش تعداد سیم های موازی که منجر به هزینه و مصرف انرژی است بدست می آورند.

NOC نوری به منظور دستیابی به توان کم و پهنای باند بسیار بالا در حوزه ی نوری پیشنهاد شده است . تکنولوژی کنترل الکترونیکی مکملی برای شبکه های نوری است.

علاوه بر NOC مدارات مجتمع سه بعدی (DIC3) یکی دیگر از راه های بهبود کارایی سیستم با کاهش طول اتصالات است . تا همین اواخر هم استفاده از DIC3 که عنوان یک پلت فرم برای تحقق تکنولوژی کنترل الکتریکی NOC های نوری پرداخته شده است . در این مقاله ما یک NOC کنترل الکترونیکی نوری سه بعدی را که با دو لایه سه بعدی TSV (از طریق سیلیکون VIA) پیاده سازی شده است را پیشنهاد میکنیم.

لایه فوقانی لایه نوری است. این شبکه انتقال داده های نوری مسئول انتقال بسته های نوری می باشد لایه پایین لایه ی الکترونیکی است ،که شامل یک شبکه کنترل الکترونیکی است که برای مسیریابی کنترل بسته ها و پیکر بندی شبکه های نوری استفاده می شود. ما یک NOC سه مبتنی بر مش 8*8 با شبکه کنترل الکترونیکی nm45 ساخته ایم .مقایسه پاور این روش با NOC دو بعدی الترونیکی نشان می دهد که NOC نوری می تواند مصرف انرژی را به طور قابل توجهی کاهش دهد. برای بسته های B2048 توان را تا 70% می دهد.

تاخیر ETE (End to End) و شبکه هایی از دو NOC که تحت نرخ های تزریق متفاوت برای مقایسه مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایج نشان می دهد که تاخیر (ETE) NOC های نوری بسیار کمتر از NOC های الکترونیکی است.

به عنوان مثال بسته 4096 بایتی در شبکه نوری sμ 7/18 با نرخ تزریق در حالی که برای NOC در حالیکه برای NOC الکترونیکی برابر با sμ 5/33 می باشد.

ترجمه مقاله با عنوان IEF-PCM Calculations of Absolute pKa for Substituted Phenols in Dimethyl Sulfoxide and Acetonitrile Soluti

اختصاصی از فی فوو ترجمه مقاله با عنوان IEF-PCM Calculations of Absolute pKa for Substituted Phenols in Dimethyl Sulfoxide and Acetonitrile Solutions دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

متن کامل ترجمه مقاله ISI در Elsevier در فایل word به فروش می رسد که ترجمه چکیده آن را به عنوان نمونه می توانید ملاحظه فرمایید.

IEF-PCM Calculations of Absolute pKa for Substituted Phenols in Dimethyl Sulfoxide and Acetonitrile Solutions

Abstract

Absolute (nonrelative) pKa calculations for substituted phenols were carried out in nonaqueous media, demonstrating the predictive power of the integral equation formalism PCM method with a mean unsigned error of 0.6 pKa units for DMSO and 0.7 pKa units for MeCN at the B3LYP/6-31 G** level of theory combined with the scaled B3LYP/6-311 G** gas-phase data. At the same time, the correlation between the calculated and experimental pKa values yielded the value of the linear regression slope very close to unity for both DMSO and MeCN. Computation of pKa of neutral acids in nonaqueous solutions with a reasonable precision obviously depends on carefully tuned cavities, optimized for nonaqueous solutions. The ability of continuum solvation model to compensate charge escape from the cavity, which is prominent in the case of anions, is also required. And finally, good quality gas-phase data is essential to achieve required pKa precision.

محاسبات IFE-PCM pKa مطلق برای فنول­های جایگزین در محلولهای دی­متیل سولفوکسید و استونیتریل

چکیده

محاسبات pKa مطلق (غیرنسبی) برای فنول­های جایگزین در محلول ناآبی انجام شده است، نشان می­دهد که قدرت پیش بینی فرمالیسم معادله انتگرال روش PCM با میانگین خطای بدون علامت 0.6 واحد pKa برای DMSO و 0.7 واحد pKa برای MeCN در سطح B3LYP/6- 31+G** تئوری همراه با داده­های فاز گازی در مقیاس B3LYP/6-311+G** می­باشد. در همان زمان، ارتباط بین مقادیر pKa محاسبه شده و تجربی، مقدار شیب رگرسیون خطی بسیار نزدیک به واحد را برای هر دو DMSO و MeCN می­دهد. محاسبه pKa اسیدهای خنثی در محلولهای ناآبی با دقت معقول بطور آشکار به حفره­های به دقت تنظیم شده بستگی دارد که برای محلولهای ناآبی بهینه شده است. توانایی مدل حلال پوشی پیوسته برای جبران فرار بار از حفره، که در مورد آنیونها برجسته است، نیز مورد نیاز است. و بالاخره، اطلاعات فاز گازی با کیفیت خوب برای رسیدن به دقت مورد نیاز pKa ضروری است.

Operation Based Costing Model for Measuring Productivity in Production System

اختصاصی از فی فوو Operation Based Costing Model for Measuring Productivity in Production System دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .