گزارش کار اندازه گیری مقاومت درونی منبع تغذیه

اختصاصی از فی فوو گزارش کار اندازه گیری مقاومت درونی منبع تغذیه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گزارش کار کامل آزمایش اندازه گیری مقاومت درونی منبع تغذیه؛ شامل: مقدمه، شرح آزمایش، داده ها، نمودارهای رسم شده با اکسل، نتیجه و سوالات مربوط به آزمایش.

Word + Pdf

6 صفحه!

قالب گیری تزریقی

اختصاصی از فی فوو قالب گیری تزریقی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات37

قالب گیری تزریقی

مقدمه
این روش تولیدی برای قطعات کوچک، پیچیده و پر هزینه کاربرد دارد . توسط این روش ما می توانیم اشکال پیچیده در حجم زیاد تولید کنیم . این شیوه به روش تولید اکستروژن خیلی نزدیک است اما تفاوت های بسیاری با آن دارد از جمله اینکه در روش قالب گیری تزریقی ما از پودر فلز یا پودر مواد دیگر استفاده می کنیم ، در صورتیکه در روش اکستروژن از خود فلز استفاده می شود .
مواد مورد استفاده در قالب گیری تزریقی عبارتند از : فلزات ، سرامیک ها ، ترکیبات بین فلزی و کامپوزیت ها.
ماده تزریقی برای قالب گیری تزریقی اساساً شامل مخلوطی از پودر سرامیک با یک پلیمر ترموپلاستیک به اضافه یک نرم کننده می باشد .
محصولات حاصل از این روش در صنعت پلاستیک برای ساخت سطل آشغال ، قالب های یخ ، اسباب بازی ها و غیره به کار می رود .
نحوه انجام عملیات
مراحل تولید : 1- تهیه پودر
2 - مخلوط کردن پودر با مواد چسبی
3- تزریق پودر به داخل سیلندر پیش گرم شده و اعمال فشار
4- جدا کردن چسب از قطعه
5- سینتر کردن قطعه
مواد خام مورد استفاده
مواد خام مورد استفاده در قالب گیری تزریقی شامل پودر و چسب می شود . که پودرها شامل پودرهای فلزی و غیر فلزی می شود . اکثر فلزات برای تولید پودر می توانند به کار روند به جزء مورد از جمله آلومینیوم و منگنز ، که به علت تشکیل سریع اکسید بر روی این فلزات از آنها استفاده نمی شود .
پودر ایده آل مورد استفاده در این روش دارای ویژگی های زیر است :
1- توزیع مناسب 2- ویسکوزیته پایین 3- شکل ذرات کروی باشند 4 - اندازه ذرات زیر 20 میکرومتر باشد
اما چسب ها شامل موم ها ی طبیعی و پلیمرهای مصنوعی هستند، گاهی اوقات برای اصلاح خصوصیات چسب از مواد دیگر نیز استفاده می شود .
باید به این نکته توجه کرد که ماده چسبنده با پودر نباید واکنش شیمیایی بدهد .
مخلوط کردن
هدف از مخلوط کردن بدست آوردن ماده تزریق همگن که این شامل دو نکته می شود:
الف ) ماده تزریقی به اندازه کافی شامل پودر باشد .
ب ) پودر به طور یکنواخت در همه جای آن پخش شده باشد .
برای تعیین همگن بودن پودر از ابزاری به نام پیکنومتر استفاده کرده که این ابزار برای تعیین دانسیته پودر به کار می رود .
تزریق پودر و اجرای عملیات
پودر مخلوط شده وارد سیلندر پیش گرم شده می شود و در اثر حرارت که دمای آن تا حد ذوب چسب های پلیمری است پودر به صورت خمیری شکل درآمده و توسط یک پیستون و اعمال فشار به درون قالب تزریق شده و شکل قالب را به خود گرفته و از آن خارج می شود .
باید توجه کرد که فشار اعمال شده باید پایین باشد .

دانلود گزارش کارآموزی اندازه گیری های بهداشت کار کارخانه کاشی ستاره

اختصاصی از فی فوو دانلود گزارش کارآموزی اندازه گیری های بهداشت کار کارخانه کاشی ستاره دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود گزارش کارآموزی گزارش اندازه گیری های بهداشت کار کارخانه کاشی ستاره

فرمت فایل: ورد قابل ویرایش

تعداد صفحه: 55

فهرست مطالب:

فهرست اندازه گیری های انجام شده:

گزار ش اندازه گیری عوامل شیمیایی

چکیده

زمینه   

یافته ها

تفسیر نتایج     

توصیه های کلی         

ضمایم

برگه داده های ایمنی برای غبار سیلیس   

توصیه هایی برای کاهش تولید گردو غبار در صنایع       

گزارش اندازه گیری صدا

چکیده

زمینه   

یافته ها

نتیجه گیری و تفسیر نتایج        

توصیه های کلی         

گزارش اندازه گیری روشنایی

چکیده

زمینه   

یافته ها

نتیجه گیری و تفسیر نتایج        

پیشنهاد

  گزارش اندازه گیری WBGT

چکیده

زمینه   

یافته ها

نتیجه گیری     

تحقیق در مورد یون گیری واکنشی

اختصاصی از فی فوو تحقیق در مورد یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه98

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

• ارزیابی های سمینار
• معرفی سمینار
• طرح کلی سمینار
• شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
• زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
• روند کار و نوع سمینار
• اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سایت
• یادداشتهای نمونه سمینار
• مقالات اخیر ساوین
• تماس ها برای سوالات
• ثبت نام در وب سایت
• اطلاعات ناحیة بوستون
• سوابق آقای ساوین

1-معرفی

• فیزیک پلاسما
• فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

• مدل سیفتیک گازی
• مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
• مدل گازی ساده شده
• محتوای انرژی
• نرخ برخورد بین مولکولها
• مسیر آزاد
• سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
• فشار گازی
• خواص انتقال
• جریان گاز
• وضعیت سیال
• رسانایی رساناها
• احتمال برخورد
• پراکندگی گاز- گار
• پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
• انتشار ارتجاعی
• برخورد غیر ارتجاعی
• نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
• عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

• توزیع انرژی الکترونی
• سینتیک همگونی پلاسما
• مدل توزیع (مارجینوا)
• مدل توزیع (دروی وشتاین)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
• سینتیک گاز رقیق شده
• شکافت انتشار دو قطبی
• تجمع غلاف
• سینتیک سادة غلاف
• حفاظت یا پوشش «دیبای»
• تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
• آزمایش غلاف بوهم
• خصوصیات میلة آزمایش
• شکست و نگهداری، تخلیة rf
• تقریب میدان مشابه
• تقریب میدان غیرمشابه
• مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
• اندازه گیری تخریب rf
• مدل توازن الکترونیکی
• مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
• خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
• سیستم همگن (متقارن)
• توزیع ولتاژ در سیستم rf
• توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
• مدار معادل تخلیة rf
• تنظیم الکترودها
• سینتیک بمباران یونی
• تخلیة اپتیکی
• لم اندازه گیری حرکت
• ریزنگاری تخلیة اپتیکی
• فرآیند برخورد الکترون
• برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

• امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
• بمباران خنثی امیژن ثانویه
• عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
• ناحیة کاتدی
• یونیزاسیون در غلاف
• توزیع انرژی یونها
• الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
• ناحیة آند
• مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

• فیزیک پلاسمای rf خازنی
• فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
• فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
• فیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

• همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
• شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
• تنظیم کننده های موج کوتاه
• رآکتورهای لوله ای
• رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
• رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
• گیرندگان یون واکنشی
• گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
• گیرندگان اشعه یون واکنشی
• بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
• گیرندگان دیودی ارتجاعی
• رآکتورهای تریودی
• بایاسینگ Rf
• محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
• منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
• ECR توزیع شده
• منابع در حال جریان نزولی
• ماگنترولها
• مونتاژ کردن لایه لایه ای
• تبرید برگشتی هلیوم
• محکم کاری الکترواستاتیک
• جستجوی نقطة نهایی
• تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
• ثبت حرکات تداخلی
• ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
• مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
• فاز گازی
• تولید اتم اکسیژن
• بارگزاری رآکتورها
• واکنشهای سطحی
• شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
• ارتقاء پلمیری
• سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
• الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
• اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
• پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
• مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
• الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
• الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
• الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
• مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
• توده نگاری میکروسکوپی
• میلة آزمایش لانگ میر
• فلورسنت القایی با لیزر
• تحلیل امپدانس پلاسمایی
• ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

• ده مبارزه برتر الکترون گیری
• مکانیزمهای گسترش مقطعی
• جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
• پراکندگی یونی در جوله های خاص
• تغییر سطوح در جلوه های ویژه
• الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
• اتم گیری با القاء یونی
• اتم گیری خودبخود
• جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
• جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
• شکست
• جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
• نسبت منظری الکترون گیری وابسته
• تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

• مدل سازی سطحی ساده شده
• خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
• مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
• پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
• انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
• پراکندگی از قسمت سطح منبع
• ارتقاء کیفیت سطحی
• مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
• تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
• پراکندگی یونی
• جهت دار شدن یونی
• زاویة ماسک
• ترکیب مجدد سطحی
• جابجایی از پلاسما
• تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
• خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

• آلودگی
• خصوصیات منحصر به فرد
• تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
• تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی

نمونه سوال تصمیم گیری و تعیین خط مشی دولتی کد درس : 1218040

اختصاصی از فی فوو نمونه سوال تصمیم گیری و تعیین خط مشی دولتی کد درس : 1218040 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترم

سوال

پاسخنامه

نیمسال اول ۸۸-۸۹

ج

نیمسال دوم ۸۸-۸۹

ج

تابستان ۸۹

ج

نیمسال اول ۸۹-۹۰

ج

نیمسال دوم ۸۹-۹۰

ج

تابستان ۹۰

ج

نیمسال اول ۹۰-۹۱

 

ج

نیمسال دوم ۹۰-۹۱

 

ج

   

نیمسال اول ۹۱-۹۲

 

ج

         

نیمسال دوم ۹۲-۹۳

 

ج

   

نیمسال اول ۹۳-۹۴

 

ج

نیمسال دوم ۹۳-۹۴

ج

تابستان ۹۴

 

ج

نیمسال اول ۹۴-۹۵

 

ج