فی فوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی فوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلودمقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه

اختصاصی از فی فوو دانلودمقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژیچکیده

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly اشاره نمود . مواد نانوساختاری یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

مقدمه

علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .
نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .
نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.
وی معتقد بود با وجود فقدان ابزار تجربی هیچ گونه مانعی برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد .

علم لایه های نازک

لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری و تجمع صورت گرفته در طول تحول نشست اتم های ازآزاد از فاز گازی به فاز جامد تحت شرایط تعادل ترمودینامیکی بستگی دارد .
درسال های اخیر ، علم لایه های نازک به عنووان یک رشته تحقیقاتی مهم در سراسر دنیا مطرح شده است . اهمیت پوشش ها و سنتزمواد جدید در صنایع سبب جهش ناگهانی در تکنولوژی فرآوری لایه های نازک گردیده است . امروزه این پیشرفت ها با جهش های علمی و تکنولوژیکی صنایع مایکرو الکترونیکی ، اپتیک و نانو تکنولوژی همراه گشته است . تغییرات سریع مورد نیاز درمواد و ابزار متشکل از لایه های نازک، جایگاه های جدیدی در توسعه فرآیند ها ، مواد وتکنولوژی های جدیدی را ایجاد نموده است . شکل 4 ، عناصر اصلی تاثیرگذار برعلم لایه های نازک نشان می دهد .
عمده پیشرفت های صورت گرفته در علم لایه های نازک در صنایع ماکرو الکترونیک می باشد . البته کاربرهای روبه رشدی نیز در لایه های نازک اپتیکی ، مغناطیسی ، الکتروشیمی ، پوشش های محافظ و تزئینی و کاتالیزورها در حال شکل گرفتن می باشند . بیشتر اکتیویته های لایه نازک در رشته تحقیقاتی جدیدی تحت عنوان مهندسی سطح مطرح می گردد . مهندسی سطح یکی از مهمترین رشته های رشد یافته در سال گذشته بوده است که شامل طراحی و فرآوری لایه های سطحی ، فصل مشترک های داخلی و مشخصه های آن ها می باشد . مهندسی سطح با توسعه لایه های نازک و مشخصه های سطحی مواد ارتباط مستقیم دارد.


تکنولوژی لایه های نازک و نانو تکنولوژی

افزایش تحقیقات علمی به موازات فراهم آوردن کشفیات بشری ، جهش های تکنولوژیکی حاصل از آن یافته ها را نیز به همراه دارد . تکنولوژی ، علم را از طریق استفاده از ابزار آلات علمی و حل مشکلات تحت تاثیر قرار می دهد در حالی علم با تئوری و تعیین پارامترهای مجزای برهمکنش ها وتاثیرمتقابل آنها سبب توسعه تکنولوژی می شود . نتیجه این فرآیندهای در حال تغییر ، پیشرفت هر دوی آن ها می باشد . در حال حاضر توسعه علمی و تکنولوژیکی باعث رشد علوم نانو و نانوتکنولوژیکی گردیده است .
فاصله بین حل کردن مسائل بنیادی مواد وتوسعه ابزار لایه های نازک جدید در کاربردهای میکرو الکترونیک و نانو تکنولوژی به سرعت در حال افزایش است . به عنوان مثال در بسیاری از کاربردها ، توسعه سیستم لایه های نازک با مشکلات فرآوری و بنیادی مواد همراه است که نیاز دارد در آینده تلاش های زیادی صرف حل آن ها گردد . مثال های واضح در این مورد چسبندگی و پایداری حرارتی و اتمسفری لایه های نازک است . پیشرفت های آ ینده برای از رو برداشتن موانع در جهت مینیاتوری کردن اندازه ابزار در مقیاس نانومتری بسیار بحرانی و حساس است . تحقیقات بنیادی دراین زمینه درحوزه توسعه ابزارتجربی لازم برای مشخصه یابی
In-Situ (for example methods ELLIPSOMETRY,SPM,RHEED,
بررسی PLASMA-ASSISED TECHNIQUES) ساختار لایه های نازک و همچنین توسعه تکنیک های نویین سنتز و ساخت می باشد .این تکنیک ها باید قابل اطمینان تر ، ارزان تر و با قابلیت تولید لایه هایی با خواص نو و اصلاح شده باشند .

نا نوابزار های ساخته شده از لایه های نازک

نیازهای ضروری اخیربه ابزارو تکنیک های ساخت که قابلیت توسعه ساختارهایی با ابعاد 0.1تا 50nmرا دارا باشند ، زمینه های تحقیقاتی گوناگونی را فراهم آورده است .)شکل 5(

الف (صنایع الکترونیک (ترانزیستورها)

مدارات مجتمع پایه سلیسیومی رشد واقعی ویژه ای را از طریق اختراع و توسعه آن هااز خود نشان داده اند .از ترانزیستور های دو قطبی اولیه در سال 1948، مدار مجتمع صفحه ای در سال1961وهدف اولیهMOSFETدرسال 1964 ، امروزه صنعت نیمه هادی دارای پیشرفتهای تکنیکی با تولید قطعاتی نظیر میکروپرسسورها )با محدوده کاری 1GHzو (بیشتر ،میکروپرسسورهای با بیشتر از صد میلیون ترانزیستور، تراشه های حافظه و غیره می باشد . رشد تکنولوژیکی سریع آنها در سال1965 توسط گوردن مور تحت عنوان قانون مشهور موری پیشبینی شده است که بر این اساس چگالی و عملکرد مدار مجتمع در هر 18 ماه دوبرابر می گردد . پیشبینی وی با پیشرفت های واقعی صورت گرفته در شکل های 6 الی 8 مقایسه شده است . این پیشرفت ها از طریق کاهش ابعاد ترانزیستور ، افزایش چگالی ترانزیستور و فرکانس عملیاتی حاصل گردیده است .
MOSFET در 40طولسال گذشته از نظر مغیاس رشد قابل ملاحظه ای نشان داده و در صنعت مدارات مجتمع بسیار موفق بوده است . اما محدودیت های مقیاسی و در پی آن محدودیت های تکنولوژیکی مانع از رشد آن ها گردیده است . اگرچه امروزه MOSFET در مقیاس نانو متری تولید می شود ولیکن نانوتکنولوژی محسوب نمی گردد. نانو تکنولوژی قطعات الکترونیکی میتواند تحول عظیمی گردد که MOSFETرا متوقف سازد . در این راستا نانوتکنولوژی نظیر تولید نانوتیوب های کربنی برای ساخت ترانزیستور زمینه تحقیقاتی وسیعی را گشوده است که چگالی ، سرعت ، انرژی و... و سایر نیازمندی های قطعات الکترونیکی را می تواند براورده سازد .

جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه نانو تکنولوژیچکیده

در سالهای اخیر به دلیل اهمیت بنیادی و کاربردهای بالقوه مواد نانوساختاری در علوم شیمی، فیزیک ، زیست شناسی و مواد توجه زیادی به این مقوله معطوف گشته است . تمایل به مینیاتوری کردن ابزار و بالا بردن ظرفیت ذخیره اطلاعات به ویژه در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی ، زمینه های تحقیقاتی وسیعی از نانو تکنولوژی را به بخش مواد نانوساختاری اختصاص داده است .تکنیک های مختلفی برای ساخت نانو ساختارها توسعه یافته است که از علم لایه های نازک نشات گرفته اند و می توان به روش های رشد اپیتاکسی ، لیتوگرافی با باریکه های الکترونی ، رسوب از بخار و روشهای خاص self-Assembly اشاره نمود . مواد نانوساختاری یک گروه جدید از مواد را با خواص متفاوت نسبت به گونه های مولکولی و ساختارهای حالت جامد توده ای ارائه می دهد .این مواد با داشتن اثرات حدی کوانتومی ، رفتار بی همتایی را ایجاد می کنند که می توانند در ساخت دستگاهای جدید اپتیکی ، مغناطیسی ، الکترونیکی ، و ترمو الکتریکی نقش مهمی را ایفا نماید . در این جا سعی می شود رشد علم لایه های نازک و مهندسی سطح در سال های اخیر و تکنولوژی توسعه یافته مرتبط از جمله نانوتکنولوژی مورد بحث قرار گیرد .

مقدمه

علوم نانوبه کلیه پژوهش ها ، بحث ها مطالعات برهمکنشها ، مشاهدات ، اندازه گیری ها و کنترلماده در مقیاس نانو متری اطلاق می شود که در گسترش علوم فیزیک ، شیمی ، مواد ، زیست شناسی و مهندسی تاثیر بسزایی داشته است . علوم نانو دارای پتانسل موثری در تحقیق و تحول علوم و رشد آن ها می باشند .
نانو تکنولوژی به روشی اطلاق می شود که بتوان ابزار و سیستم هایی نظیر نانو مکانیک ، نانو ربات ها ، سنسور ها ، بیو تراشه ها و ... را با کنترل مواد در مقیاس نانو متری ساخت ، مقیاسی که شامل اتم ، مولکول و ساختارهای مولکولی است . نانوتکنولوزی با به واقعیت رساندن اکتیویته ها و فرایند ها در مقیاس نانو، ساختارهای بزرگتری با نظم مولکولی جدید را توسعه می دهد. براساس این ساختارها ، تحت عنوان نانوساختارها ، ابزاآلات کوچکتری ساخته می شود که خواص و قابلیت های فیزیکی ، شیمیایی و بیولوژیکی جدید را ارائه می دهند . هدف ازعلوم نانو و نانوتکنولوژی شناسایی دقیق این خواص و در نتیجه دستیابی به توان تولید نانو ساختارها و راندمان بالا می باشد. شکل های 1 و2 برخی ازانواع نانوساختارهای اولیه ساخته شده را نشان می دهند .
نظریه جایگزین شدن مولکول ها یا اتم ها که می تواند به عنوان یک انقلاب علمی محسوب شود درسال 1959 توسط ریچارد فینمن برنده جایزه نوبل ارائه گردیده است.
وی معتقد بود با وجود فقدان ابزار تجربی هیچ گونه مانعی برای بررسی در ابعاد نانومتری وجود ندارد . حتی قوانین فیزیک هم محدودیتی را اعمال نمی کنند.بنابراین برای رسیدن به ابعاد کوچکتر نیاز به طراحی مجدد دستگاههای تجربی وجود دارد که البته باید در تصحیح و تطبیق پارامتر ها هم تغییر صورت پذیرد . به عنوان مثال نیروی جاذبه پدیده مهمی است اما نیروهای واندروالس و کشش سطحی نقش فوق العاده ای خواهد داشت . شکل 3 تحول تکنولوژی صورت گرفته درقرن گذشته را نشان می دهد . ملاحظه می شود که شروع قرن بیست و یکم یک بازه زمانی شبه پایدار از تکنولوزی نیمه هادی به نانوتکنولوژی می باشد .

علم لایه های نازک

لایه نازک زیرساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیر لایه جامد حاصل می شود . لایه های نازک با ضخامت های بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک می باشند . این تفاوت ها به ویزه در ضخامت های بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه می نماید و اساسا به اجزای میکروساختاری و تجمع صورت گرفته در طول تحول نشست اتم های ازآزاد از فاز گازی به فاز جامد تحت شرایط تعادل ترمودینامیکی بستگی دارد .
درسال های اخیر ، علم لایه های نازک به عنووان یک رشته تحقیقاتی مهم در سراسر دنیا مطرح شده است . اهمیت پوشش ها و سنتزمواد جدید در صنایع سبب جهش ناگهانی در تکنولوژی فرآوری لایه های نازک گردیده است . امروزه این پیشرفت ها با جهش های علمی و تکنولوژیکی صنایع مایکرو الکترونیکی ، اپتیک و نانو تکنولوژی همراه گشته است . تغییرات سریع مورد نیاز درمواد و ابزار متشکل از لایه های نازک، جایگاه های جدیدی در توسعه فرآیند ها ، مواد وتکنولوژی های جدیدی را ایجاد نموده است . شکل 4 ، عناصر اصلی تاثیرگذار برعلم لایه های نازک نشان می دهد .
عمده پیشرفت های صورت گرفته در علم لایه های نازک در صنایع ماکرو الکترونیک می باشد . البته کاربرهای روبه رشدی نیز در لایه های نازک اپتیکی ، مغناطیسی ، الکتروشیمی ، پوشش های محافظ و تزئینی و کاتالیزورها در حال شکل گرفتن می باشند . بیشتر اکتیویته های لایه نازک در رشته تحقیقاتی جدیدی تحت عنوان مهندسی سطح مطرح می گردد . مهندسی سطح یکی از مهمترین رشته های رشد یافته در سال گذشته بوده است که شامل طراحی و فرآوری لایه های سطحی ، فصل مشترک های داخلی و مشخصه های آن ها می باشد . مهندسی سطح با توسعه لایه های نازک و مشخصه های سطحی مواد ارتباط مستقیم دارد.


تکنولوژی لایه های نازک و نانو تکنولوژی

افزایش تحقیقات علمی به موازات فراهم آوردن کشفیات بشری ، جهش های تکنولوژیکی حاصل از آن یافته ها را نیز به همراه دارد . تکنولوژی ، علم را از طریق استفاده از ابزار آلات علمی و حل مشکلات تحت تاثیر قرار می دهد در حالی علم با تئوری و تعیین پارامترهای مجزای برهمکنش ها وتاثیرمتقابل آنها سبب توسعه تکنولوژی می شود . نتیجه این فرآیندهای در حال تغییر ، پیشرفت هر دوی آن ها می باشد . در حال حاضر توسعه علمی و تکنولوژیکی باعث رشد علوم نانو و نانوتکنولوژیکی گردیده است .
فاصله بین حل کردن مسائل بنیادی مواد وتوسعه ابزار لایه های نازک جدید در کاربردهای میکرو الکترونیک و نانو تکنولوژی به سرعت در حال افزایش است . به عنوان مثال در بسیاری از کاربردها ، توسعه سیستم لایه های نازک با مشکلات فرآوری و بنیادی مواد همراه است که نیاز دارد در آینده تلاش های زیادی صرف حل آن ها گردد . مثال های واضح در این مورد چسبندگی و پایداری حرارتی و اتمسفری لایه های نازک است . پیشرفت های آ ینده برای از رو برداشتن موانع در جهت مینیاتوری کردن اندازه ابزار در مقیاس نانومتری بسیار بحرانی و حساس است . تحقیقات بنیادی دراین زمینه درحوزه توسعه ابزارتجربی لازم برای مشخصه یابی
In-Situ (for example methods ELLIPSOMETRY,SPM,RHEED,
بررسی PLASMA-ASSISED TECHNIQUES) ساختار لایه های نازک و همچنین توسعه تکنیک های نویین سنتز و ساخت می باشد .این تکنیک ها باید قابل اطمینان تر ، ارزان تر و با قابلیت تولید لایه هایی با خواص نو و اصلاح شده باشند .

نا نوابزار های ساخته شده از لایه های نازک

نیازهای ضروری اخیربه ابزارو تکنیک های ساخت که قابلیت توسعه ساختارهایی با ابعاد 0.1تا 50nmرا دارا باشند ، زمینه های تحقیقاتی گوناگونی را فراهم آورده است .)شکل 5(

الف (صنایع الکترونیک (ترانزیستورها)

مدارات مجتمع پایه سلیسیومی رشد واقعی ویژه ای را از طریق اختراع و توسعه آن هااز خود نشان داده اند .از ترانزیستور های دو قطبی اولیه در سال 1948، مدار مجتمع صفحه ای در سال1961وهدف اولیهMOSFETدرسال 1964 ، امروزه صنعت نیمه هادی دارای پیشرفتهای تکنیکی با تولید قطعاتی نظیر میکروپرسسورها )با محدوده کاری 1GHzو (بیشتر ،میکروپرسسورهای با بیشتر از صد میلیون ترانزیستور، تراشه های حافظه و غیره می باشد . رشد تکنولوژیکی سریع آنها در سال1965 توسط گوردن مور تحت عنوان قانون مشهور موری پیشبینی شده است که بر این اساس چگالی و عملکرد مدار مجتمع در هر 18 ماه دوبرابر می گردد . پیشبینی وی با پیشرفت های واقعی صورت گرفته در شکل های 6 الی 8 مقایسه شده است . این پیشرفت ها از طریق کاهش ابعاد ترانزیستور ، افزایش چگالی ترانزیستور و فرکانس عملیاتی حاصل گردیده است .
MOSFET در 40طولسال گذشته از نظر مغیاس رشد قابل ملاحظه ای نشان داده و در صنعت مدارات مجتمع بسیار موفق بوده است . اما محدودیت های مقیاسی و در پی آن محدودیت های تکنولوژیکی مانع از رشد آن ها گردیده است . اگرچه امروزه MOSFET در مقیاس نانو متری تولید می شود ولیکن نانوتکنولوژی محسوب نمی گردد. نانو تکنولوژی قطعات الکترونیکی میتواند تحول عظیمی گردد که MOSFETرا متوقف سازد . در این راستا نانوتکنولوژی نظیر تولید نانوتیوب های کربنی برای ساخت ترانزیستور زمینه تحقیقاتی وسیعی را گشوده است که چگالی ، سرعت ، انرژی و... و سایر نیازمندی های قطعات الکترونیکی را می تواند براورده سازد .

 

 

 

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   23 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلودمقاله جایگاه علم و تکنولوژی لایه های نازک و مهندسی سطح در توسعه

دانولد پاورپوینت نازک کاری با مصالح مدرن

اختصاصی از فی فوو دانولد پاورپوینت نازک کاری با مصالح مدرن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانولد پاورپوینت نازک کاری با مصالح مدرن


دانولد پاورپوینت نازک کاری با مصالح مدرن

170 اسلاید میباشد خیلی کامل وجامعه.توصیه میکنم حتما دانلود کنید خیلی عالیه خیلی

ابتدا خاک رس مرغوب سرند می شود سپس چند ظرف گچ سازی تا نیمه آب شده و خاک

سرند شده را درون آب می ریزند بعد از این مرحله به مدت 10 دقیقه به حال خود رها می

شود تا دانه های خاک آب را به خود کاملا بگیرد پس از طی زمان لازم با 2 دست دانه های

خاک باد کرده در آب را به یکدیگر می مالند تا مخلوط به شکل دوغابه گل درآید .

به ترتیب مصرف گرد گچ درون دوغابه گچ پاشیده شده از یک طرف ملات ورز داده می

شود و پس از اینکه به شکل خمیری کامل درآمد در سطح ماله گذارده شده در بین متن

شمشه ها کشیده می شود .

عمل اندود گچ و خاک پی در پی در سطح سطوح و زمینه اندود کشیده می شود . پس از

تسطیح شدن بوسیله شمشه چوبی یا فلزی اندود بین شمشه های گرفته شده شمشه کش

شده و سطوح مذکور در حالت داشتن اصطلاحا زبره و آج سبب اتصال رویه گچ کاری می

شود

در مراحل اندودکاری شمشه گیری نبشها بخصوص در بندها و اندود بغل کش آنها مورد توجه می باشد


دانلود با لینک مستقیم


دانولد پاورپوینت نازک کاری با مصالح مدرن

جزوه درسی مهندسی پلاستیک(کلاس استاد نازک دست)

اختصاصی از فی فوو جزوه درسی مهندسی پلاستیک(کلاس استاد نازک دست) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جزوه کنکوری درس مهندسی پلاستیک

برای کنکور ارشد مهندسی پلیمر و مهندسی شیمی

154 صفحه در قالب پی دی اف

بسیار عالی و کم یاب


دانلود با لینک مستقیم


جزوه درسی مهندسی پلاستیک(کلاس استاد نازک دست)

معرفی روشهای لایه نشانی، خواص و کاربردهای لایه های نازک

اختصاصی از فی فوو معرفی روشهای لایه نشانی، خواص و کاربردهای لایه های نازک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

معرفی روشهای لایه نشانی، خواص و کاربردهای لایه های نازک

مقدمه ای کامل و جامع و بسیار مناسب برای پایان نامه های رشته فیزیک، نانوفیزیک، مهندسی مواد و ...

حاصل از ترجمه مقالات ISI با 14 رفرنس معتبر - 22 صفحه فایل word با فهرست مطالب و شکلها و با رعایت تمام نکات نگارشی

 

_______________________________________________________________________________________

لینک عضویت در کانال تلگرامی دنیای فایل:

جهت اطلاع از آخرین و تمام فایلهای تحقیقاتی موجود، شما می توانید با کلیک بر روی لینک زیر و سپس کلیک بر روی join در پایین صفحه در کانال عضو شوید

https://telegram.me/joinchat/CYcguj_Bx3i5GIwnbs2zTw

_______________________________________________________________________________________

 payannameht@gmail.com

 

فهرست مطالب

1-1: مقدمه­ ای بر لایه­ های نازک... 1

1-1-1: مفهوم لایه­ های نازک... 1

1-1-2: تاریخچه لایه­ های نازک... 3

1-1-3: اهمیت لایه­ های نازک... 3

1-1-4: فیزیک لایه ­های نازک... 4

1-1-5: کیفیت لایه ­های نازک... 5

1-1-6: خواص لایه­ های نازک... 6

1-1-6-1: خواص مکانیکی.. 6

1-1-6-2: خواص الکتریکی.. 7

1-1-6-3: خواص مغناطیسی.. 9

1-1-6-4: خواص نوری.. 10

1-1-6-5: خواص شیمیایی.. 11

1-1-6-6: خواص حرارتی.. 11

1-2: روش­های سنتز لایه­ های نازک... 11

1-2-1: روش­های فیزیکی.. 11

1-2-1-1: روش تبخیری.. 12

1-2-1-2: کندوپاش... 13

1-2-2: روش­های شیمیایی.. 14

1-2-2-1: رسوب­دهی شیمیایی بخار 14

1-2-2-2: آبکاری الکتریکی.. 15

1-2-2-3: آبکاری الکترولس.... 16

1-3: کاربردهای لایه ­های نازک... 17

1-3-1: ترانزیستورها 17

1-3-2: مقاومت مغناطیسی بزرگ. 18

1-3-3: سلول­های خورشیدی.. 18

  

فهرست شکل­ها

 شکل 1-1: طرح ساختار لایه و زیرلایه نسبت به هم. 2

شکل 1-2: طرح گونه مقطع عرضی مدل یک مدار مجتمع(IC)  سه بعدی.. 4

شکل 1-3: طرحی از انواع فرایند رشد. 5

شکل 1-4: نمودار تعیین فرومغناطیس وآنتی فرو مغناطیسی مواد. 9

شکل 1-5: سامانه قرارگیری منبع و زیرلایه در روش تبخیری جهت دستیابی به رسوب یکنواخت... 12

شکل 1-6: واحد تبخیر پرتو الکترونی.. 13

شکل 1-7: طرح ساده سیستم پراکنش.... 13

شکل 1-8: مراحل انتقال گاز و فرایندهای واکنش در تشکیل لایه به روش CVD.. 14

شکل 1-9: آبکاری الکتریکی با جریان مستقیم. 15

شکل 1-10: لایه نشانی به روش الکترولیز. 16

شکل 1-11: مقطع عرضی ساختار ترانزیستور MOS از منبع. 17

شکل 1-12: نحوه کار سلول خورشیدی (سمت راست)- نمونه سلول خورشیدی (سمت چپ) 18

 


دانلود با لینک مستقیم


معرفی روشهای لایه نشانی، خواص و کاربردهای لایه های نازک

دانلود کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی زنانه با فرمت pdf

اختصاصی از فی فوو دانلود کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی زنانه با فرمت pdf دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی زنانه با فرمت pdf


دانلود کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی زنانه با فرمت pdf

کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی زنانه مورد استفاده بانوان در منزل میباشد این کتاب که در مقظع متوسطه ایران تدریس میشود جلد اول آن با عنوان دوخت میباشد

 

عناوین کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی جلد اول (دوخت) :

 

  • شناخت وسایل دوخت
  • شناخت انواع چرخ خیاطی و روش راه اندازی سرویس و نگهداری چرخ خیاطی
  • شناخت انواع اتو و اصول اتو زدن درزها و اتوکاری نهایی لباس
  • شناخت انواع پارچه
  • آماده کردن پارچه جهت برش و محاسبه مقدار پارچه و طرز قرار گرفتن الگو روی پارچه های مختلف
  • انتقال الگو روی پارچه توسط کوک شل، کاربن و پرت زدن پارچه
  • دوخت درزها، پنس ها، پاکدوزی، تودوزی و گوشه های سجاف
  • دوخت زیپ
  • دوخت انواع دامن های پیلی دار و کوده دار
  • دوخت آستری و وصل کردن آن به دامن
  • دوخت انواع کمر لباس
  • دوخت شلوار
  • دوخت انواع جیب

 

 

 
زبان کتاب : فارسی
 
حجم کتاب : 11.5 مگابایت
 
نوع فایل : PDF
 
تعداد صفحه : 351
 
بعد از پرداخت وجه لینک دانلود را دریافت کنید
 

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود کتاب آموزش خیاطی نازک دوزی زنانه با فرمت pdf