مقاله شبیه سازی شده با نرم افزار ADS با عنوان CMOS LNA کم توان و پر بهره بر اساس سلول اینورتر بایاس بدنه خود به خود

اختصاصی از فی فوو مقاله شبیه سازی شده با نرم افزار ADS با عنوان CMOS LNA کم توان و پر بهره بر اساس سلول اینورتر بایاس بدنه خود به خود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تقویت کننده کم نویز (Low Noise Amplifier) نوعی خاصی از تقویت کننده های الکترونیکی  است. که در سیستم های مخابراتی برای تقویت سیگنال های گرفته شده از آنتن به کار می رود و اغلب در فاصله ی کمی از آنتن قرار می گیرد تا کاهش دامنه ی سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد.استفاده از LNA سبب می شود که نویز طبقات بعد بوسیله ی بهره ی LNA کاهش یابد ولی نویز LNA به طور مستقیم در سیگنال دریافتی تزریق می شود. لذا یک شرط برای تقویت کننده ی کم نویز آن است که در حالی که سیگنال را تقویت می کند، نویز و اختلال بسیار کمی به آن بیفزاید تا بازیابی سیگنال در طبقات بعد به نحو مطلوب صورت گیرد. مقاله ای که می خوانید یک تئوری جدید برای تقویت کننده کم نویز (LNA) است که برای رادیو با پهنای باند بالا (Ultre-WideBand) تهیه شده است.

در این پروژه یک مقاله از مجله معتبر ELSEVIER که در سال 2014 چاپ شده است با نرم افزار ADS شبیه سازی شده است و پارامترهای S و عدد نویز آن به خوبی به دست آمده است.

عنوان مقاله به صورت زیر است:

یک تقویت کننده کم نویز CMOS با تون کم و بهره بالا بر اساس سلول اینورتر و بایاس بدنه خود به خود برای گیرنده های فوق پهن باند.

عنوان انگلیسی:

Low power high gain CMOS LNA based on inverter cell and self-body bias for UWB receivers

نویسندگان:

Meng-Ting Hsu

Yu-Hsien Lin

Yang Jing-Cheng

جزوه کلاس مدارهای مجتمع آنالوگ خطی CMOS دانشگاه شهید بهشتی دکتر جلالی

اختصاصی از فی فوو جزوه کلاس مدارهای مجتمع آنالوگ خطی CMOS دانشگاه شهید بهشتی دکتر جلالی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

جزوه عالی، جامع و دست نویس از کلاس مدارهای مجتمع آنالوگ خطی CMOS دانشگاه شهید بهشتی دکتر جلالی که شامل مثال های فراوان و حل تمامی آن ها می‎باشد.

جزوه دومی از این درس اضافه شد.

بهینه سازی در زمانبندی و تلورانس نویز برای مدارات CMOS دینامیک حساس به تغییرات پروسه

اختصاصی از فی فوو بهینه سازی در زمانبندی و تلورانس نویز برای مدارات CMOS دینامیک حساس به تغییرات پروسه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مدارهای CMOS دینامیک به میزان قابل توجهی در سیستم های مجتمع در بسیار مقیاس بزرگ (VLSI)با کارایی بالا استفاده می­شود. با این حال، آنها متحمل محدودیت­هایی همچون تحمل نویز، نشت بار، و مصرف توان می­باشند. با افزایش تاثیر تغییرات فرآیند بر عملکرد طراحی ، مقیاس گذاری تهاجمی تکنولوژی، نویز در مدار CMOS دینامیک به یک چالش ضروری در طراحی تبدیل شده است.

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, VOL. 25, NO. 2, MAY 2012

 این محصول شامل 3 فایل است که 1 فایل مربوط به مقاله اصلی و 2 فایل مربوط به ترجمه مقاله میباشد که در دو قالب word و PDF تحویل میشود.

دانلود تحقیق نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

اختصاصی از فی فوو دانلود تحقیق نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تعداد صفحات : 20 صفحه     -      

قالب بندی :  word       

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

 

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.
سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.
براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند.

دانلود تکنولوژی (130 نانو متر ) TSMC 0.13um cmos مخصوص طراحی فرکانس بالا برای نرم افزار ADS

اختصاصی از فی فوو دانلود تکنولوژی (130 نانو متر ) TSMC 0.13um cmos مخصوص طراحی فرکانس بالا برای نرم افزار ADS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تکنولوژی (130 نانو متر ) TSMC 0.13um cmos  مخصوص طراحی فرکانس بالا برای نرم افزار ADS

مشخصات ورژن:

Name: tsmc_cm013rf_v1.7

Version: 1.7

Date: 03 Feb 2006

ADS Version: ADS 2004A and above